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  苏州晶湛半导体有限公司是由业界公认的硅上氮化镓外延技术的开拓者程凯博士于2012年3月回国创办,坐落于江苏省苏州工业园区苏州纳米城,致力于氮化镓(GaN)外延材料的研发及产业化。2013年,晶湛半导体在苏州纳米城建设了一条国际先进的GaN外延材料生产线。2014年,晶湛半导体发布了200mmSi衬底上高压GaNHEMT材料,产品技术领先于国际水平。公司在该领域已掌握多项核心技术,拥有自主知识产权,已累计申请国内外发明专利百余项。产品各项性能指标均达到国际领先水平,突破了GaN产业链发展瓶颈,实现了具有核心自主知识产权的大尺寸Si衬底GaN高压电力电子材料的研发以及量产能力。

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