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浙江驰拓科技有限公司（简称驰拓科技）成立于2016年1月，是一家以新型高端存储器件及系统的研发、IDM半导体公司。驰拓科技的产品研发和产业化重点为MRAM（magnetic random access memory）和基于MRAM的应用系统与相关技术及产品开发。
MRAM是一种新型高端存储器。其特点包括纳秒级读写速度、几近无限的重写次数、掉电数据不丢失、低能耗等。MRAM在物联网、人工智能、穿戴设备、医疗卫生、工控与车载电子、存储系统、移动终端等领域有着广泛的市场和发展前景。同时，也会对未来的计算机体系结构带来颠覆性变革。
驰拓科技坚持以市场为导向，紧紧抓住自身产品优势和市场机遇，全力打造以新型高端存储芯片及系统为核心的新型存储器生态圈，推动微电子、纳米科技及信息存储技术的发展，为新型处理器架构创新提供器件和技术支撑。
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工商信息
- 公司名称： 浙江驰拓科技有限公司
- 法人代表： 程瑜
- 注册资本： 9000万人民币
- 经营状态： 存续
- 企业类型： 有限责任公司（非自然人投资或控股的法人独资）
- 所属行业： 电子/半导体/集成电路
- 成立时间： 2016年01月07日
- 统一社会信用代码： 91330110MA27WN813R
- 注册地址： 浙江省杭州市临安区青山湖街道励新路9号
- 公司地址： 浙江省杭州市临安区青山湖街道励新路9号
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经营范围：
技术研发、技术咨询、技术服务：集成电路芯片、计算机软硬件、电子器件、计算机系统开发；电子元器件加工；服务：知识产权代理（除专利代理）；销售：集成电路芯片及模块、电子器件；货物进出口、技术进出口，企业事务代理。（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
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