1.本科及以上学历，硕士/博士及学历优先，半导体物理、微电子或电子工程相关专业,了解半导体物理及集成电路设计原理；具备扎实的半导体功率器件基本原理知识，2.熟练掌握功率MOS芯片设计技术及光刻版设计技术；深刻理解芯片结构参数与电学性能(导通电阻/雪崩电压/开关速率)的关联机制；3.功率器件(TrenchMOS/SGT/SJ)器件结构设计和仿真模拟验证；具有600V以上功率MOS超结结构芯片，功率器件驱动芯片设计经验，具有成功流片形成芯片产品的经验者优先。4.能够熟练运用sentaurus、silvaco、MEDICI等功率芯片设计软件，以及Virtuoso、Ledit等光刻版设计软件；5.主导功率MOS芯片的TCAD仿真设计，构建cell单元及终端结构电学模型；根据市场端需求精准定义器件参数，通过结构创新实现产品性能突破6.与Fab厂家共同建立工艺流程，以确保产品参数、可靠性及工艺窗口达到设计指标；7.负责项目进度跟进、数据整理分析、失效分析、工程报告，根据需求进行产品优化升级设计、性能改善芯片及良率提升；良好的数据分析及总结能力，良好的英文沟通及阅读能力。8.具备创新思维和创造力，能够提出新颖的想法和解决方案；配合研发项目的专利申请及相关文件编写。