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筛选条件:
学历要求
- 不限
- 初中及以下
- 高中
- 中专
- 大专
- 本科
- 硕士及以上
工作年限
- 不限
- 应届毕业生
- 1~2年
- 2~3年
- 3~5年
- 5~10年
- 10年以上
薪资要求
- 不限
- 小于3K
- 3-4.5K
- 4.5-6K
- 6-8K
- 8-10K
- 10-15K
- 15-20K
- 20-30K
- 30K以上
急聘
已选条件:
- 东莞
- 长安镇
- 集成电路/芯片开发工程师
-
25-50K
学历不限
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经验不限
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东莞-长安镇
立即应聘
岗位职责 1. 低气压容性耦合等离子CCP放电机理 2. 真空下电子碰撞电离、鞘层理论、离子能量分布 3. 气压、功率、气体种类对等离子密度、均匀性影响 4. 等离子鞘层电势、离子轰击效应 5. 真空腔体内电场仿真、粒子输运仿真 任职要求 1. 真空腔体极板布局、馈入位置仿真优化，改善等离子均匀性 2. 解析晶圆边缘过刻蚀、局部放电强弱差异机理 3. 支撑腔体结构迭代，减少颗粒、弧光放电 4. 协助定义真空工艺窗口（气压、功率、气体配比）仪器仪表
|
500-1000
单双休
年终奖
绩效奖
全勤奖
包吃
房补
节日福利
带薪年假
免费旅游
五险一金
包住
加班补助
试用期全薪
生日礼物
2026-08-22
推荐招聘信息
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25-50K
学历不限
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经验不限
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东莞-长安镇
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岗位职责 1. 低气压容性耦合等离子CCP放电机理 2. 真空下电子碰撞电离、鞘层理论、离子能量分布 3. 气压、功率、气体种类对等离子密度、均匀性影响 4. 等离子鞘层电势、离子轰击效应 5. 真空腔体内电场仿真、粒子输运仿真 任职要求 1. 真空腔体极板布局、馈入位置仿真优化，改善等离子均匀性 2. 解析晶圆边缘过刻蚀、局部放电强弱差异机理 3. 支撑腔体结构迭代，减少颗粒、弧光放电 4. 协助定义真空工艺窗口（气压、功率、气体配比）仪器仪表
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